调控ZnGa_(2)O_(4):Cr^(3+),Li^(+)近红外长余辉材料的陷阱缺陷改善余辉性能

摘要

采用高温固相法合成了ZnGa_(2)O_(4):0.005Cr^(3+),xLi^(+)近红外长余辉材料。采用XRD、SEM、TEM、Uv-Vis、PL/PLE等对样品进行表征,系统研究了Li^(+)的掺入对ZnGa_(2)O_(4):Cr^(3+)微观结构和性能的影响。结果表明:材料在紫外光或者可见光的激发下,在693 nm处呈现近红外(Cr^(3+)的^(2)E→^(4)A_(2)跃迁)长余辉发射。掺杂Li^(+)提高可见光的激发效率,当x从0增至0.07时,407 nm和555 nm处的激发峰强度分别增加了114%和120%。Li^(+)的掺入还对ZnGa_(2)O_(4):Cr^(3+)的陷阱类型和数量产生影响,其中,x=0.07的样品具有较多数量的深陷阱,加热时可释放出高强度的余辉,在光信息存储领域具有良好的应用前景。