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北京师大物理系离子注入组;
北京无线电器件厂;
硼注入; 双极集成电路; 基区; 电流增益; 击穿电压; 退火条件; 注入能量; 离子注入; 等温退火; 注入剂量;
机译:通过将Ar离子注入源/漏区来抑制超薄膜全耗尽CMOS / SIMOX器件中的寄生双极作用
机译:工艺中加入H_2气体和H离子注入对双极型等离子体离子注入制备的氢化非晶碳膜微观结构的影响
机译:基于并联双截线谐振器的等离子激元反射及其在全光二极管中的应用
机译:用于大学模拟集成电路制造的离子注入N阱双极工艺
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:盐耦合双极封闭在双侧同时全膝关节置换术中的应用
机译:高浓度砷离子注入硅中及其在双极器件中的应用
机译:离子注入在单片双极模拟集成电路制造中的应用
机译:用于电外科应用的双极系统中的双极电极装置,包括双极电极,双极手柄和在双极电极的反面具有六角形插头连接的电极固定器
机译:汽车应用中的可变电容二极管的校准装置,具有与集成电路的引脚耦合的可变阻抗,以及与集成电路的另一个引脚耦合的可变电容二极管
机译:具有多个双极型器件的半导体全波整流器集成电路
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