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魏东平; 周均铭;
不详;
HBT; 发射结; 铝镓砷; 砷化镓;
机译:能量输运模拟研究AlGaAs / GaAsHBTs截止频率特性中可能出现的双峰
机译:p型GaAs / AlGaAs异质结检测器的低频噪声特性
机译:MOCVD生长的高掺杂AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管的p型掺杂扩散的电学特性
机译:极小的发射极(1×1μm 2 sup>)AlGaAs / GaAsHBT利用桥接基极电极结构
机译:苯乙烯均聚以及乙烯与苯乙烯共聚单体共聚中的双金属作用。使用负载型茂金属的高能量存储密度金属氧化物-聚烯烃纳米复合材料的范围,动力学和机理/催化原位合成。纳米粒子,形状和界面特性对漏电流密度,介电常数和击穿强度的影响
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:p型Gaas / alGaas异质结探测器的低频噪声特性
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究
机译:具有双直过渡和p型向上的AlGaAs电致发光二极管。
机译:P型向上的双直跃式AlGaAs电致发光二极管
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
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