高阻硅单晶欧姆接触的研究

摘要

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上,进一步用高硼合金（BAINiIn）和高磷合金（PSbAuIn）作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I—V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.