器件钝化中的应力中心和应力补偿效应

摘要

半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力.由于Si-SiO_2界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.氮化硅、非晶硅和半绝缘多晶硅等二次钝化膜的应用改善了器件的性能,特别是它的电流增益普遍提高.我们对几种超高频(f_T≥1GHz)中、小功率管在生长二次钝化膜前后的电流增益(?)的对应测量分析表明:在Si-SiO_2结构上淀积一层PECVD-Si_3N_4对器件的电流增益有着明显的影响,经氢氮气氛退火后,各种器件的(?)都有较大的提升(见表1),其提升的大小直接和Si_3N_4相对SiO_2的厚度和温度等因素有关.在60年代。