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阮林伟; 朱玉俊; 卢运祥;
安徽大学化学化工学院;
华东理工大学化学与分子工程学院;
g-C3N4; 异质结; germanene; 电场;
机译:半导体和金属管在P3HT /碳纳米管光伏异质结中的作用:密度泛函理论计算
机译:二维CuinP_2S_6 / Germanene Van der Waals异质结构的半导体 - 金属过渡的电场控制
机译:通过与2D碳氮化物氮化的有孔石墨烯,g-C3N4和g-CN形成异质结形成石墨烯的带隙开放:电场效应
机译:c-Si掺杂密度对具有本征薄层(HIT)径向结太阳能电池的异质结的影响
机译:氧化钠物理性质的密度泛函计算。
机译:基于密度泛函理论计算的短周期(GaAs)m(AlAs)n(mn≤10)超晶格的电子结构和物理性质的高通量研究
机译:srTiO3 LaalO3氧化物异质结中内部电场的硬X射线光电发射和密度泛函理论研究
机译:用于密度泛函理论(DFT)的单位晶胞的计算方法计算二维纳米片的异质结构的电子能带结构。
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:用于电结或电路的涂层元件以及使用这种涂层元件降低电结或电路的表面电场密度的方法
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