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周远翔; 程子霞; 严萍; 梁曦东; 关志成;
清华大学电机工程与应用电子技术系,北京,100084;
中国科学院电工研究所,北京,100080;
直流击穿; 空间电荷; BaTiO3; 居里温度; MLCs;
机译:外部单轴应力和直流偏压共同作用对多层陶瓷电容器中BaTiO3基电介质介电性能的影响:热力学和实验
机译:基于BATIO3的多层陶瓷电容器(MLCC)四极性(C / A)和直流(DC)偏置特性的相关性
机译:直流超临界条件之前的负直流预击穿现象和击穿电压特性
机译:势垒高度和空间电荷对BaTiO / sub 3 /基陶瓷电容器直流击穿的影响
机译:击穿高电压,高能量密度的多层陶瓷电容器。
机译:分子链位移和载流子陷阱特性对HDPE / LDPE绝缘体直流击穿的耦合作用
机译:BaTiO3基纳米陶瓷的放电等离子烧结成型和显影。研究退火过程,氧的扩散并获得具有最佳介电性能的陶瓷电容器
机译:Ni-BaTiO3多层陶瓷电容器的绝缘电阻降解。
机译:在不降低击穿电压特性的情况下用于形成浅结的源/漏区的击穿特性改进的晶体管制造方法
机译:具有高直流击穿电压的低温烧结陶瓷电容器及其制造方法
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