BaTiO3

摘要： 以聚丙烯腈(PAN)基碳纤维无纬布和短切网胎纤维交互叠层针刺,在预制体制备过程中掺杂0%、5%、15%、25%和35%五种不同质量分数的BaTiO_(3),制备得到纵向纤维排布环形碳纤维预制体,通过化学气相沉积(CVD)和液相浸渍相结合的方法,制备得到BaTiO_(3)改性碳/碳复合材料。对该复合材料进行垂直和平行两个方向的力学性能测试,并且观察断口处的组织结构及其形貌特征。结果表明,引入纳米BaTiO_(3)后,加快了热解碳形核与生长的过程,改变了热解碳的组织结构,由单一的光滑层组织结构转变为光滑层和粗糙层两种组织结构。随着BaTiO_(3)含量的增加,复合材料的垂直压缩强度先基本不变后逐渐增大,平行压缩强度先增大后减小。复合材料的垂直压缩断裂方式均为脆性断裂,平行压缩断裂方式也均为脆性断裂同时呈现层间断裂的特征。

摘要： 钛酸钡(BaTiO_(3))具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能,在微电子机械系统和集成电路领域具有广泛的应用。降低BaTiO_(3)薄膜的制备温度使其与现有的CMOS-Si工艺兼容,已成为应用研究和技术开发中亟需解决的问题。本研究引入与BaTiO_(3)晶格常数相匹配的LaNiO_(3)作为缓冲层,以调控其薄膜结晶取向,在单晶Si(100)基底上450°C溅射制备了结构致密的柱状纳米晶BaTiO_(3)薄膜。研究表明:450°C溅射温度在保持连续柱状晶结构和(001)择优取向的前提下,能获得相对较大的柱状晶粒(平均晶粒直径27 nm),一定残余应变也有助于其获得较好的铁电和介电性能。剩余极化强度和最大极化强度分别达到了7和43μC·cm^(-2)。该薄膜具有良好的绝缘性,在0.8 MV·cm^(-1)电场下,漏电流密度仅为10^(-5) A·cm^(-2)。其相对介电常数εr展现了优异的频率稳定性:在1 kHz时εr为155,当测试频率升至1 MHz,εr仅轻微降低至145。薄膜的介电损耗较小,约为0.01~0.03(1 kHz~1 MHz)。通过电容-电压测试,该薄膜材料展示出高达51%的介电调谐率,品质因子亦达到17(@1 MHz)。本研究所获得的BaTiO_(3)薄膜在介电调谐器件中有着良好的应用前景。

摘要： 光热疗法(PTT)作为新兴抗菌方法引起了研究人员的广泛关注,开发高效近红外响应光热剂(PTA)已成为目前研究的热点之一。本研究采用NaBH 4热还原工艺制备了富含氧空位的BaTiO_(3)纳米材料。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)以及热重分析仪等方法对样品的晶体结构、形貌和氧空位进行表征,通过光热实验、CFU平板计数法对样品的光热性能和抗菌性能进行了评价。结果表明:氧空位的引入能显著扩宽BaTiO_(3)的光吸收范围,从而赋予该材料优异的近红外响应光热性能。CFU平板计数法探究BaTiO_(3)-Vo在近红外光照射下抗菌性能的实验结果发现,BTO-Vo具有优异的光热抗菌性能,12 min内对大肠杆菌和短小芽孢杆菌的抗菌率分别达到95%和97%。

摘要： 本工作通过密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究了过渡金属元素(X=Cr,Mn,Co,Ni,Zn,Zr,Nb,Ta)掺杂立方相BaTiO_(3)的电子结构和光学性质。结果表明:掺杂Cr、Mn、Nb、Ta原子后,禁带宽度消失,体系导带底部向低能方向移动,费米能级穿过导带,体现出n型半导体的特征;掺杂Co、Ni和Zn原子后,禁带宽度消失,体系价带顶部向高能方向移动,费米能级穿过价带,体现出p型半导体的特征。在光学性质上,入射光为零的情况下未掺杂BaTiO_(3)的静态介电常数为6.464,掺杂低浓度的Cr、Mn、Co、Ni、Zn后,静态介电常数增大;掺杂低浓度的Zr、Nb、Ta后,静态介电常数减小。

摘要： 以15wt％十六烷基三甲基溴化铵改性碳化硅晶须(CTAB-SiCw)和KH550改性纳米BaTiO3(BT)为填料,聚偏氟乙烯(PVDF)为成膜物质,通过溶液流延法制备了BT-SiCw/PVDF三元复合薄膜,利用FTIR、XRD、SEM和LCR介电温谱仪-高温测试系统联用装置对产物进行结构表征和介电性能测试.结果 表明:KH550可以成功改性BT粒子且不会改变BT晶体结构,SiCw和BT能够较好地分散在PVDF基体中;随着BT引入量的增加,复合薄膜的介电常数先增加后减小,其中当引入10wt％BT时介电性能最优,即频率f=500 Hz、介电常数εrmax=33、介电损耗tanδmax=0.154.随着温度的升高,该试样的介电常数和介电损耗也逐渐增加,并在120°C达到最大值(f=500 Hz、εrmax=110、tanδmax=1.3).结果 对于研究具有高介电常数的三元复合电介质材料为在埋入式电容器中获得应用提供了一种策略.

摘要： 防腐涂料是保证金属结构正常使用的重要材料,防腐涂料的开发和研究一直是涂料领域的热点方向.研究使用BaTiO3作为防腐功能填料,探讨其用量对环氧防腐涂料性能的影响,研究发现:当BaTiO3粉体添加量为50 wt.％时,涂料的中性盐雾时间超过280 h,漆膜的腐蚀电流低,腐蚀电位高,证明其具有良好的电化学防腐性能.

摘要： 为制备高效低阻的纳米纤维过滤膜,将无机驻极体BaTiO3纳米颗粒加入聚丙烯腈(PAN)溶液中,利用静电纺丝方法制备PAN/BaTiO3复合纳米纤维过滤膜,对其表面形貌、化学结构、水接触角、力学性能和过滤性能进行分析.结果表明:PAN/BaTiO3纳米纤维的直径比纯PAN纳米纤维略有降低,且BaTiO3纳米颗粒均匀地分散在纤维内部;与纯PAN纳米纤维膜相比,PAN/BaTiO3复合纳米纤维过滤膜的水接触角更大,抗污染能力更强,拉伸强度最高增加了75.5％;当BaTiO3质量分数为0.75％时,PAN/BaTiO3复合纳米纤维过滤膜的过滤效率为98.9％,阻力压降为42.7 Pa,品质因子为0.1056,其中静电吸附作用占总过滤效果的36.2％,该纤维膜过滤性能最好,且具有一定的循环使用性能.

摘要： 本实验采用水热合成法,将Ho3+/Y3+直接掺杂到反应物体系中,制备了Ho3+/Y3+共掺BaTiO3基粉体.XRD晶相分析表明,所制备的粉体主晶相为四方相钙钛矿型晶体结构;SEM形貌分析表明,Ho3+/Y3+掺杂具有显著细化晶粒的作用,并能够提高与改善其介电性能.电学性能分析结果表明,随着w(Ho3+):w(Y3+)比例的增大,其介电常数(εr)先增大后减小,介电损耗(tanδ)先减小后增大,而绝缘电阻呈一直增大的趋势,当w(Ho3+):w(Y3+)为3:1时,综合介电性能最佳.

摘要： 本实验采用水热合成法,将Ho^(3+)/Y^(3+)直接掺杂到反应物体系中,制备了Ho^(3+)/Y^(3+)共掺BaTiO_(3)基粉体。XRD晶相分析表明,所制备的粉体主晶相为四方相钙钛矿型晶体结构;SEM形貌分析表明,Ho^(3+)/Y^(3+)掺杂具有显著细化晶粒的作用,并能够提高与改善其介电性能。电学性能分析结果表明,随着w(Ho^(3+)):w(Y^(3+))比例的增大,其介电常数(εr)先增大后减小,介电损耗(tanδ)先减小后增大,而绝缘电阻呈一直增大的趋势,当w(Ho^(3+)):w(Y^(3+))为3:1时,综合介电性能最佳。

摘要： 采用直流磁控溅射技术制备了BaTiO3,系PTC发热陶瓷的多层膜系结构电极。用扫描电镜对溅射的膜层进行观察,发现膜层致密,厚度均匀,与瓷片接触性好,并与瓷片表面形貌有较好的一致性.实验表明,当电极的膜系结构为Al／Ni-Cu／Ag时,电极能与BaTiO3系PTC发热陶瓷形成的欧姆接触电阻小于0.4Ω结合力大于6.5MPa,电极能承受450°C5秒的高温无铅焊锡熔蚀.经250°C10小时老化后,欧姆接触电阻几乎没有变化.

摘要： 采用直流磁控溅射技术制备了BaTiO3,系PTC发热陶瓷的多层膜系结构电极。用扫描电镜对溅射的膜层进行观察,发现膜层致密,厚度均匀,与瓷片接触性好,并与瓷片表面形貌有较好的一致性.实验表明,当电极的膜系结构为Al／Ni-Cu／Ag时,电极能与BaTiO3系PTC发热陶瓷形成的欧姆接触电阻小于0.4Ω结合力大于6.5MPa,电极能承受450°C5秒的高温无铅焊锡熔蚀.经250°C10小时老化后,欧姆接触电阻几乎没有变化.

摘要： 采用直流磁控溅射技术制备了BaTiO3,系PTC发热陶瓷的多层膜系结构电极。用扫描电镜对溅射的膜层进行观察,发现膜层致密,厚度均匀,与瓷片接触性好,并与瓷片表面形貌有较好的一致性.实验表明,当电极的膜系结构为Al／Ni-Cu／Ag时,电极能与BaTiO3系PTC发热陶瓷形成的欧姆接触电阻小于0.4Ω结合力大于6.5MPa,电极能承受450°C5秒的高温无铅焊锡熔蚀.经250°C10小时老化后,欧姆接触电阻几乎没有变化.

摘要： 采用直流磁控溅射技术制备了BaTiO3,系PTC发热陶瓷的多层膜系结构电极。用扫描电镜对溅射的膜层进行观察,发现膜层致密,厚度均匀,与瓷片接触性好,并与瓷片表面形貌有较好的一致性.实验表明,当电极的膜系结构为Al／Ni-Cu／Ag时,电极能与BaTiO3系PTC发热陶瓷形成的欧姆接触电阻小于0.4Ω结合力大于6.5MPa,电极能承受450°C5秒的高温无铅焊锡熔蚀.经250°C10小时老化后,欧姆接触电阻几乎没有变化.

摘要： 采用直流磁控溅射技术制备了BaTiO3,系PTC发热陶瓷的多层膜系结构电极。用扫描电镜对溅射的膜层进行观察,发现膜层致密,厚度均匀,与瓷片接触性好,并与瓷片表面形貌有较好的一致性.实验表明,当电极的膜系结构为Al／Ni-Cu／Ag时,电极能与BaTiO3系PTC发热陶瓷形成的欧姆接触电阻小于0.4Ω结合力大于6.5MPa,电极能承受450°C5秒的高温无铅焊锡熔蚀.经250°C10小时老化后,欧姆接触电阻几乎没有变化.

摘要： 本文采用脉冲激光沉积和离子束溅射方法制备了无铅多铁性FeBSi／BaTiO3复合薄膜。室温X射线衍射和拉曼散射表明BaTiO3以四方结构存在，FeBSi是非晶态，并且在复合薄膜中未观察到其它衍射峰的存在，表明二者之间未发生化学反应。在断面扫描电子显微镜图中清晰地观察到了上面FeBSi层与下面BaTiO3层及基底之间的界面，表明薄膜是以2-2型结构复合。复合薄膜表现出了显著的室温铁电性及铁磁性，并且在高温磁矩随温度的变化曲线中观察到因BaTiO3的顺电-铁电转变引起的磁化强度的突变，说明二者之间存在一定的耦合。在文献中尚未见到此种复合多铁性材料的报道，其为多功能材料的应用提供了新的途径。

摘要： 本文采用脉冲激光沉积和离子束溅射方法制备了无铅多铁性FeBSi／BaTiO3复合薄膜。室温X射线衍射和拉曼散射表明BaTiO3以四方结构存在，FeBSi是非晶态，并且在复合薄膜中未观察到其它衍射峰的存在，表明二者之间未发生化学反应。在断面扫描电子显微镜图中清晰地观察到了上面FeBSi层与下面BaTiO3层及基底之间的界面，表明薄膜是以2-2型结构复合。复合薄膜表现出了显著的室温铁电性及铁磁性，并且在高温磁矩随温度的变化曲线中观察到因BaTiO3的顺电-铁电转变引起的磁化强度的突变，说明二者之间存在一定的耦合。在文献中尚未见到此种复合多铁性材料的报道，其为多功能材料的应用提供了新的途径。

摘要： 本文采用脉冲激光沉积和离子束溅射方法制备了无铅多铁性FeBSi／BaTiO3复合薄膜。室温X射线衍射和拉曼散射表明BaTiO3以四方结构存在，FeBSi是非晶态，并且在复合薄膜中未观察到其它衍射峰的存在，表明二者之间未发生化学反应。在断面扫描电子显微镜图中清晰地观察到了上面FeBSi层与下面BaTiO3层及基底之间的界面，表明薄膜是以2-2型结构复合。复合薄膜表现出了显著的室温铁电性及铁磁性，并且在高温磁矩随温度的变化曲线中观察到因BaTiO3的顺电-铁电转变引起的磁化强度的突变，说明二者之间存在一定的耦合。在文献中尚未见到此种复合多铁性材料的报道，其为多功能材料的应用提供了新的途径。

摘要： 本文采用脉冲激光沉积和离子束溅射方法制备了无铅多铁性FeBSi／BaTiO3复合薄膜。室温X射线衍射和拉曼散射表明BaTiO3以四方结构存在，FeBSi是非晶态，并且在复合薄膜中未观察到其它衍射峰的存在，表明二者之间未发生化学反应。在断面扫描电子显微镜图中清晰地观察到了上面FeBSi层与下面BaTiO3层及基底之间的界面，表明薄膜是以2-2型结构复合。复合薄膜表现出了显著的室温铁电性及铁磁性，并且在高温磁矩随温度的变化曲线中观察到因BaTiO3的顺电-铁电转变引起的磁化强度的突变，说明二者之间存在一定的耦合。在文献中尚未见到此种复合多铁性材料的报道，其为多功能材料的应用提供了新的途径。

摘要： 本文采用脉冲激光沉积和离子束溅射方法制备了无铅多铁性FeBSi／BaTiO3复合薄膜。室温X射线衍射和拉曼散射表明BaTiO3以四方结构存在，FeBSi是非晶态，并且在复合薄膜中未观察到其它衍射峰的存在，表明二者之间未发生化学反应。在断面扫描电子显微镜图中清晰地观察到了上面FeBSi层与下面BaTiO3层及基底之间的界面，表明薄膜是以2-2型结构复合。复合薄膜表现出了显著的室温铁电性及铁磁性，并且在高温磁矩随温度的变化曲线中观察到因BaTiO3的顺电-铁电转变引起的磁化强度的突变，说明二者之间存在一定的耦合。在文献中尚未见到此种复合多铁性材料的报道，其为多功能材料的应用提供了新的途径。

摘要： 本发明提出了一种BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3纳米多层复合磁电陶瓷的制备方法，利用纳米尺寸的铁酸钴和亚微米尺寸的钛酸钡为原料，利用等离子放电烧结技术制备高致密度的BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电陶瓷。本发明方法利用等离子放电烧结的低温快速成型特性，烧结的陶瓷在具有高致密度的同时避免了杂相的产生以及两相之间的耦合错位，从而保证了陶瓷具有良好的磁电耦合性能和各向异性。本发明方法制备得到的陶瓷在信息存储、集成电路、磁传感器以及自旋电子器件等方面有很好的应用前景。

摘要： 本发明公开一种ZnO/BaTiO3复合材料制备方法、ZnO/BaTiO3复合材料及应用，通过溶胶包覆法，将两种压电材料复合得到ZnO/BaTiO3微球，将其组装成柔性压电发电机，该材料结晶良好且具有较好的分散性，将其组装成柔性压电发电机，能够得到较高的电输出；为压电发电机领域在研究选材方面提供了新思路。ZnO/BaTiO3复合粉体为两种压电材料复合而成，ZnO和BaTiO3均为宽带隙半导体，其形成的异质结构可以对二者的压电性能起到积极的作用。

摘要： 本发明提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用，属于材料合成领域。本发明以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板，以水热法为基础，采用微波为能量源，TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应，通过控制反应参数，使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时，将分散性好的RO原位还原，一步制备出高性能的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜，有效解决了石墨烯分散性不良、TiO2光电性能欠佳及水热合成时间较长等问题，促进TiO2复合材料在光生阴极保护领域的应用。

摘要： 本发明公开一种ZnO/BaTiO3复合材料制备方法、ZnO/BaTiO3复合材料及应用，通过溶胶包覆法，将两种压电材料复合得到ZnO/BaTiO3微球，将其组装成柔性压电发电机，该材料结晶良好且具有较好的分散性，将其组装成柔性压电发电机，能够得到较高的电输出；为压电发电机领域在研究选材方面提供了新思路。ZnO/BaTiO3复合粉体为两种压电材料复合而成，ZnO和BaTiO3均为宽带隙半导体，其形成的异质结构可以对二者的压电性能起到积极的作用。

摘要： 本发明提出了一种BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3纳米多层复合磁电陶瓷的制备方法，利用纳米尺寸的铁酸钴和亚微米尺寸的钛酸钡为原料，利用等离子放电烧结技术制备高致密度的BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电陶瓷。本发明方法利用等离子放电烧结的低温快速成型特性，烧结的陶瓷在具有高致密度的同时避免了杂相的产生以及两相之间的耦合错位，从而保证了陶瓷具有良好的磁电耦合性能和各向异性。本发明方法制备得到的陶瓷在信息存储、集成电路、磁传感器以及自旋电子器件等方面有很好的应用前景。

摘要： 本发明涉及电磁屏蔽技术领域，且公开了一种Ni掺杂BaTiO3‑BaFe12O19‑聚苯胺三元复合电磁屏蔽材料，以醋酸钡、硝酸镍为原料，得到Ni掺杂BaTiO3，镍离子与钛离子半径接近，可取代钛离子实现掺杂，多余的镍离子以氧化镍的形式残留在BaTiO3晶界层，形成低温玻璃相，导致BaTiO3晶粒减小，优化相对介电常数，再加入硝酸铁、硝酸钡、柠檬酸，得到Ni掺杂BaTiO3‑蜂窝状BaFe12O19空心微球二元纳米复合材料，其同时具有多孔性和介孔蜂窝状，实现轻质化，在过硫酸钾的作用下，苯胺形成聚苯胺，与Ni掺杂BaTiO3‑蜂窝状BaFe12O19空心微球复合，拓宽电磁屏蔽的范围，聚苯胺分子间构建出良好的导电网络，加大电磁波的损耗，使得Ni掺杂BaTiO3‑BaFe12O19‑聚苯胺三元复合电磁屏蔽材料具有优异的电磁屏蔽性能。

摘要： 本发明提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用，属于材料合成领域。本发明以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板，以水热法为基础，采用微波为能量源，TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应，通过控制反应参数，使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时，将分散性好的RO原位还原，一步制备出高性能的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜，有效解决了石墨烯分散性不良、TiO2光电性能欠佳及水热合成时间较长等问题，促进TiO2复合材料在光生阴极保护领域的应用。

摘要： 本发明公开了一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及其制备方法，所述的改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜是由上下两层为改性BaTiO3纳米粒子所填充的PI复合材料和中间层为纯PI材料构成的。本发明采用原位聚合方法和涂膜工艺制备改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜。通过实验测试发现，该复合薄膜的介电综合性能优异，同时具有较高击穿场强和储能密度，使得它在电容器和储能器方面具有很大应用前景。

摘要： 本发明公开了一种Fe3O4BaTiO3/RGO三元复合吸波材料及其制备方法。通过两步水热法，先以PEG-4000为表面活性剂，氧化石墨，氯化铁，醋酸钠为原料制备出Fe3O4/RGO复合材料，再将制备的Fe3O4/RGO复合材料加入到正丁醇与水混合溶液，依次加入氢氧化钡，氢氧化钾和钛酸四丁酯，从而制备得到Fe3O4BaTiO3/RGO三元复合吸波材料。本发明解决了Fe3O4基核壳结构易团聚、负载层不均匀等缺点，制备的Fe3O4BaTiO3/RGO三元复合吸波材料负载层均匀，具有极好的分散性、均一性、磁响应性及吸波特性。

摘要： 本实用新型公开了一种BaTiO