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赵超; 徐兵; 董涛; 刘江高; 程波; 陈元瑞; 彭志强; 贺利军; 李振兴;
华北光电技术研究所 北京100015;
InSb; 晶体拉速; 晶体转速; 坩埚转速; 固液界面形状; 模拟;
机译:超声场中固液界面形状对CZ InSb单晶生长过程中条纹的影响
机译:CD 0.96> 0.96> 0.96 sub> 0.04 sub> 0.04 TE晶体生长固体液界面与生长固液界面关系的调查
机译:在TlCl-TlBr和TlBr-TlI固溶体的晶体生长中,过冷条件下固液界面的稳定性
机译:晶体生长过程中的固液界面形状控制
机译:溶质直拉法和GaInSb块体混合晶体生长的研究
机译:Buls的运行:通过α-ArrestinsBul1和Bul2控制渗透酶的运输
机译:硅多晶生长过程中晶体生长速率和炉膛尺寸对固液界面形状的影响
机译:用振动控制Bridgman技术研究介电材料的晶体生长
机译:气体VB晶体生长过程中固液界面的控制方法
机译:用于晶体生长过程中固液界面原位可视化的系统
机译:固液界面附近物理性质变化的分析装置和方法固液界面附近物理性质变化的分析方法
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