一种InSb晶体生长固液界面控制方法及装置

摘要

本发明提出了一种InSb晶体生长固液界面控制方法及装置，晶体生长装置包括：炉体、容器、加热组件、提拉组件和冷却组件。容器设于炉体内，加热组件用于加热容器，以熔融容器内的原材料。提拉组件可活动地设于炉体内，提拉组件用于将籽晶与容器内熔融的原材料进行熔接，以进行晶体生长。冷却组件靠近晶体设置，冷却组件用于对晶体进行冷却。根据本发明的晶体生长装置，在晶体生长过程中，可以利用冷却组件对晶体进行冷却降温，以控制晶体生长过成中的温度，从而可以对晶体生长时固液界面的形状进行有效控制，使固液界面有效控制为微凸界面，从而可以降低锑化铟晶体的位错密度，提高锑化铟径向电学参数，进而提高锑化铟晶体材料的质量。