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异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术

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本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术,分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关系.

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来源
《红外技术》 |2019年第5期|405-412|共8页
作者
覃钢; 李东升; 夏宗泽; 邸卓; 陈卫业; 杨晋; 杨春章; 李艳辉;
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作者单位

昆明物理研究所;

云南昆明 650223;

昆明物理研究所;

云南昆明 650223;

国网辽阳供电公司;

辽宁辽阳 111000;

国网辽阳供电公司;

辽宁辽阳 111000;

昆明物理研究所;

云南昆明 650223;

昆明物理研究所;

云南昆明 650223;

昆明物理研究所;

云南昆明 650223;

昆明物理研究所;

云南昆明 650223;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
异质衬底; 碲镉汞; 位错抑制; 循环退火; 腐蚀坑密度;

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