一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺

摘要

本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺。工艺包括探测器芯片的衬底减薄抛光和清洗、芯片保护、衬底氧化层腐蚀、衬底选择性湿法腐蚀四个步骤，本发明的特征在于：将化学机械减薄抛光后的Si基碲镉汞芯片衬底朝上贴于宝石片上并固化，将制好的样品放入氢氟酸中去氧化层，再将其放入高选择比腐蚀液中进行腐蚀。本发明的特点在于：能获得衬底完全去除的碲化镉/碲镉汞外延薄膜材料和光亮的碲化镉界面，为从碲化镉界面入手研究探测器芯片中位错提供了方便。