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In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱结构中热载流子分布的皮秒光谱研究

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摘要

用皮秒时间分辨荧光相关技术研究了In_xGa_(1-x)As/GaAS应变量子阱中的热载流手弛豫过程,结果表明,In组分x值(不同应变)对载流子弛豫寿命有明显的影响;与体材料相比,热载流子分布弛豫过程明显变慢,寿命明显增加.

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来源
《红外研究》|1989年第2期|111-115|共5页
作者
徐仲英; 许继宗; 李玉璋; 葛惟锟; 陈宗圭; 郑宝真;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
光谱; 热载流子; 砷化镓; 量子阱; 铟;

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