窄带半导体CCD成像器件的制造方法

摘要

在N型HgCdTe上制作了一个单片电荷耦合红外成像器件。一层HgCdTe的生长氧化物和一层ZnS共同构成第一层绝缘,在其上有一电场屏蔽板用以限定信号传输通道。第二绝缘层（ZnS）比第一绝缘层厚得多,并且延伸到第一层栅极下面成一台阶形状。输入与输出二极管都被加上了保护环以提高其击穿电压。