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林立张艳冰陈世达何先忠;
电子工业部第十一研究所!北京;
100015;
碲镉汞; 分子束外延; 晶体缺陷; 扫描-透射式显微镜; X射线能谱;
机译:分子束外延在硅衬底上生长的汞-碲化镉异质外延结构中的缺陷
机译:在波长范围1.5-1.8妈妈薄膜碲镉汞的光致发光,通过分子束外延而获得
机译:分子束外延生长的碲化镉汞碲化合物的结构特征
机译:分子束外延生长汞镉碲化镉的应变和取向效应
机译:分子束外延生长外延汞碲化镉薄膜中砷的掺入和P型掺杂的研究。
机译:SiGe和GaAs衬底上铁电BaTiO3薄膜的分子束外延研究及其应用
机译:失配对分子束外延生长的弛豫外延InGaAs / GaAs(100)薄膜中缺陷的影响
机译:窄间隙半导体中缺陷的电子表征 - 汞碲化镉,汞碲化锌和汞硒化锌中电子能级与形成能的比较
机译:分子束外延汞镉碲薄膜的基板支架无效
机译:分子束表皮装置的碲化镉镉薄膜的基板支架
机译:碲化汞镉分子束中外延生长的组成和掺杂浓度控制方式
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