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刘代全; 赵明华;
湖南大学,湖南,长沙,410082;
路基; 漏压区; 形成 ; 危害; 消除措施 ;
机译:流变工艺对煤底处理参考压区的冲击危害的影响
机译:压光条件对纸张表面特性的影响-硬压区,软压区和扩展软压区压延的比较
机译:自对准底栅In-Ga-Zn-O薄膜晶体管,其源/漏区由氟化氮化硅的直接沉积形成
机译:硼团簇(B 18 inf> H 22 inf>)注入源/漏区上硅化镍的形成及热稳定性
机译:从后期过渡金属醇盐配合物中消除β-氢,形成氮-氢键形成还原性消除,以及向后期过渡金属配合物中进行氮-氢氧化。
机译:使用多嘌呤区特异性G-四链体形成寡核苷酸消除HIV-1感染性
机译:俯冲区常压地震的表观应力,故障成熟度和地震危害
机译:海军和海军陆战队的鲨鱼危害。浅谈鲨鱼危害对海军陆战队作战,装备和人员的影响
机译:使用减少数量的掩模步骤来形成亚微米CMOS器件的源漏区,以形成用于PMOS的轻度p掺杂漏区和用于NMOS的晕圈区
机译:半导体器件包括至少一个沟道区,该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接,该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区,该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体,该沟道区至少由沟道区连接。
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