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王战亮; 许雄; 宫玉彬; 段兆云; 魏彦玉; 巩华荣; 黄华;
电子信息系统复杂电磁环境效应国家重点实验室,洛阳471003;
电子科技大学物理电子学院,成都610054;
中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;
带状电子注; 高功率微波; 矩形单栅; 返波振荡器; W波段;
机译:稀,劣储层不同性质聚合物注采工艺的数值模拟研究稀,劣储层不同性质聚合物注采工艺的数值模拟研究
机译:具有单电介质和双电介质的悬浮带状线中的宽边耦合矩形谐振器
机译:双栅异质栅介质和LDD掺杂石墨烯纳米带PN隧道FET的量子模拟研究
机译:W波段单极单掷开关,在0.13-μmCMOS技术中使用片上矩形同轴传输线
机译:在蒙大拿州的榆树古力油田,Bakken注气的Eos建模和油藏模拟研究提高了采收率。
机译:双曲余弦波导锥度和超大矩形波导可减少W波段电子顺磁共振波谱中的宽带插入损耗。二。宽带表征
机译:W波段波导封装的InP HEMT反射栅放大器
机译:阿肯色州薄薄低渗透稠油油藏注蒸汽过程的可行性 - 数值模拟研究。
机译:半导体芯片的栅极水平栅上具有矩形形状的栅电极特征,而第一金属垂直网格上具有至少八个第一金属网格线的矩形第一金属结构
机译:包括多层矩形栅电极的半导体器件,该多层矩形栅电极在四个侧面上被侧壁间隔物和注入区包围
机译:具有矩形矩形栅电极布局特征形成的小于193纳米尺寸的栅电极导电结构的半导体器件部分,并且至少具有八个晶体管
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