纳米晶LaNiAl薄膜充氦技术研究

摘要

采用离子束辅助磁控溅射方法沉积出了纳米晶LaNiAl膜和纳米晶渗氦LaNiAl膜(膜厚约10μm),通过调节Ar-He气氛的比例可控制纳米晶膜中的含氦量(He/LaNiAl的原子分数5.7％～13.8％),通过该方法引入到LaNiAl金属薄膜中的氦量远高于采用球磨法制备的纳米LaNiAl粉中的含氦量.研究结果表明:渗氦LaNiAl膜中的氦含量(原子分数)可达13.9％,氦在膜的深度方向分布均匀;热解析分析恒温条件下沉积的渗氦膜的起始释放温度为848 K,最高释放温度为1407 K,主释放峰为1080 K,初步确定了氦主要是以团簇的形式存在于在纳米晶膜中.