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4He离子卢瑟福背散射的Geant4模拟

         

摘要

利用Geant4程序模拟了270keV、500keV 4He离子垂直入射到Au、Ag、Cu薄膜的卢瑟福背散射谱(RBS),讨论了材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.对比不同能量4He离子的背散射谱,能量较大的4He离子进行薄膜背散射元素分析具有较好的质量分辨率.

著录项

  • 来源
    《黑龙江科学》 |2013年第1期|22-24|共3页
  • 作者单位

    黑龙江省科学院技术物理研究所,哈尔滨 150086;

    黑龙江省科学院技术物理研究所,哈尔滨 150086;

    黑龙江省科学院技术物理研究所,哈尔滨 150086;

    黑龙江省科学院技术物理研究所,哈尔滨 150086;

    黑龙江省科学院技术物理研究所,哈尔滨 150086;

    黑龙江省科学院技术物理研究所,哈尔滨 150086;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜测量与分析;
  • 关键词

    Geant4; 重离子; RBS分析; 薄膜;

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