微纳器件中电沉积铜工艺的研究

摘要

研究并讨论了用于微纳电子器件的电沉积铜工艺.通过在硅片上电镀铜,分析电镀时间、电流密度、温度等参数对镀层影响,利用SEM观察形貌变化,XRD分析镀层的物质结构,四探针直流电阻测试仪测试镀层电阻率.结果表明,当电镀液选择柠檬酸盐体系,电流密度为1 A·dm-2,电镀液温度42℃,电镀时间为29.5 min时,镀铜层厚度为6 um,铜镀层结晶细小,所含杂质少,排列最致密,表面平整,导电性能良好,质量优越,适用于微纳器件,具有很好的实用价值.