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硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案

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摘要

本文讨论硅基微钠光子器件制备过程中涉及的几个导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密问题.这些问题影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|660-663|共4页
会议地点广西北海
作者
陈少武; 屠晓光; 余和军; 樊中朝; 徐学俊; 余金中;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;半导体器件制造工艺及设备;
关键词
硅基微纳光子器件; ICP-RIE刻蚀; 光波导侧壁粗糙度; CVD;

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