电子束辐照下两种不同构型非晶SiO_x纳米线的不稳定性比较

摘要

室温下利用高分辨透射电子显微镜对比观察了两端固定和一端固定、另一端自由的非晶SiO_x纳米线在电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现,在相同辐照条件下,两端固定的非晶SiO_x纳米线径向持续均匀收缩;一端固定、另一端自由的非晶SiO_x纳米线轴向长度持续快速收缩,而径向无明显变化。利用我们最近提出的非晶SiO_x纳米线表面纳米曲率效应和电子束诱导非热激活效应基础上发展的原子''''融蒸''''和''''扩散''''机制,对上述电子束辐照下非晶SiO_x纳米线结构不稳定现象进行了全新、合理的解释。