高效多晶硅锭侧部缺陷生长抑制工艺

摘要

靠近铸锭坩埚的多晶硅片因坩埚杂质扩散以及杂质分凝到头部等影响,在电池制作过程中会导致硅片从尾部到头部出现效率衰减情况.本文主要通过抑制硅锭侧部杂质扩散和形核长晶,将头尾衰减区域提高,从而达到提升硅片整体效率的目的.结果显示,硅块少子寿命的"花纹"比例(位错)均值明显程下降趋势,平均下降了2.54％.从硅锭底部至头部的硅片制作成电池的转换效率衰减趋势降低,平均效率提升约0.1％.