多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

摘要

用背散射 /沟道、溅射剥层 /背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜 .由 2MeV 4He+ 离子背散射 /沟道分析 ,确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性 ;用低能Ar+ 离子溅射剥层 ,减薄样品外延层厚度后 ,再做背散射分析 ,可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息 ;