一种新型高电源抑制比的低压差线性稳压器

摘要

提出了一种新的基于前向通路结构的高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)结构,具有全负载范围内PSRR高、通路对系统稳定性影响小、电流效率高等特点.采用chart 0.35μm 5 V CMOS工艺进行电路设计仿真.后仿真结果表明,全负载范围内最差线性调整率为633μV/V.1 kHz处PSRR为76 dB@IL=10 mA.与以往高PSRR LDO相比,所提出的LDO可以在更大的负载电流范围内保持高PSRR.