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陶鹏程; 梁红伟; 夏晓川; 黄火林;
大连理工大学光电工程与仪器科学学院 大连116024;
大连理工大学微电子学院 大连116024;
氮化铝薄膜; 研究型实验; 实验教学; 宽带隙半导体;
机译:使用AlN / GaN / AlN量子阱和〜(15)N同位素对AlN上的应变GaN通道进行双光学标记拉曼表征
机译:(0001)蓝宝石上AlN的外延生长:通过实验设计评估HVPE工艺
机译:使用反应溅射法检查MNS / Si(100)上的非极性AlN薄膜制备条件
机译:用于开发AlN / SiC {lcub} p / pn {rcub}异质结紫外检测器的MOCVD优化和AlN表征。
机译:基于天然P(3HB)/ MCL-PHA共混物的薄膜制备和表征通过Cupriavidus Necator和苹果浆废料中的铜绿族废弃物的共培养
机译:应变GaN沟道的双光学标记拉曼表征 alN使用alN / GaN / alN量子阱和15N同位素
机译:基于溶胶 - 凝胶技术的薄膜制备与表征及光谱探针成膜与表征的研究进展。
机译:AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
机译:用于工作负载表征的实验设计和统计建模工具
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