精密远紫外光刻中的对准优化

摘要

@@ 随着芯片特征尺寸的减小,光刻成像技术的不断提高,而关键尺寸(CDs)的缩小则产生了更为精确的套刻精度.这些套刻精度在已随着工作台技术和对准系统的改进而得到了满足,但这些技术的发展还不能与不断提高的套刻精度保持同步,因此需要探索控制套刻和对准的新方法.rn有价值的对准特性信息由曝光设备获得.在片子对准时,对片子上的多点位置测量而获得.根据这些测量信息,计算出一种对准模型并用于调整曝光图形.之后这种模型再被用于计算曝光过程对准部分的剩余误差,并给出对准质量的象征.为满足严格的套刻容差,更多的精力应放在这些剩余误差的处理.这些剩余误差的分析可作为选择曝光对准方案的基础.