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蔡宸;
长春理工大学理学院;
GaSb; 光电阴极; 表面光电压谱; 少子扩散长度;
机译:GaAs / GaSb金属有机气相外延异质结构中缺陷分布引起的掩埋GaSb结的导纳光谱
机译:P-n结分析的主页P-GASB的电气特性:异质轴P-GASB / SI-GAAs的展厅参数校正
机译:单结GaSb和串联式GaSb / InGaAsSb和AlGaAsSb / GaSb热光电电池
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:GaSb / GaAs(111)A异质外延中的应变弛豫使用薄InAs中间层
机译:Gasb和Gasb / Alsb超晶格缓冲层,用于在商业GaAs和Si基板上生长的高质量光电二极管
机译:用于非制冷红外探测器的alGaassb-InGaassb-Gasb外延异质结构。
机译:异质结GaSb红外光伏电池
机译:N-TIO2 / P-GASB异质结二极管。
机译:Gasb相变类型记录膜在形成此Gasb相变类型记录膜的记录标记和溅射靶的货架稳定性方面表现出色
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