机译:GaAs / GaSb金属有机气相外延异质结构中缺陷分布引起的掩埋GaSb结的导纳光谱
Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany,CNR-IMEM, Parco Area delle Scienze 371 A, 43124 Parma, Italy;
CNR-IMEM, Parco Area delle Scienze 371 A, 43124 Parma, Italy;
CNISM-Dipartimento di Fisica, Universita di Parma, V.le G.P. Usberti, 7/A, 43124 Parma, Italy;
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CNISM-Dipartimento di Fisica, Universita di Parma, V.le G.P. Usberti, 7/A, 43124 Parma, Italy;
机译:GaAs / GaSb金属有机气相外延异质结构中缺陷分布引起的掩埋GaSb结的导纳光谱
机译:金属有机气相外延生长的GaAs上GaSb岛的形貌和缺陷结构
机译:金属有机气相外延生长GaAs上GaSb岛的形貌和缺陷结构
机译:金属有机气相外延生长的InAs / GaSb超晶格的结构和电学性质,用于中波长红外探测器
机译:金属有机气相外延(MOVPE)的生长和III-氮化物异质结构的表征,用于电子设备。
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:错误:''通过金属机气相外延沉积在(110)GaAs上沉积在(110)GaAs上的ZnTe层的不均匀应变弛豫和缺陷分布J。苹果。物理。 78,229(1995)
机译:硅作为Gasb中的p型掺杂剂和Ga(sub 0.8)In(sub 0.2)sb通过金属有机气相外延生长