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Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶电阻率的测试

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文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试.通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51 Ω.cm,园片边缘为27.16Ω.cm,不均匀性15.53%,提高了电阻率测定的准确性.

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来源
《电子质量》 |2010年第5期|18-19|共2页
作者
白荣林; 闫洪; 杨祖贵;
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作者单位

昆明冶金研究院,云南,昆明,650031;

昆明冶金研究院,云南,昆明,650031;

昆明冶金研究院,云南,昆明,650031;

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正文语种 chi
中图分类电学计量;
关键词
锗单晶; 薄园片; 电阻率; 不均匀性;

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