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公开/公告号CN210347769U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-04-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中锗科技有限公司;
申请/专利号CN201920708893.3
发明设计人 王卿伟;郭友林;陈仕天;柯尊斌;房现阁;
申请日2019-05-17
分类号
代理机构南京新慧恒诚知识产权代理有限公司;
代理人李晓静
地址 211200 江苏省南京市溧水经济开发区中兴东路9号
入库时间 2022-08-22 13:22:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-17
授权
机译: 在经济上可用于制造单晶锗半Geeriderlichaam的方法。通过富集半Geleiderlichaam,可提供一种根据该方法获得的单晶半geleiderlichaam。
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机译: 一种控制单晶电阻率的方法。
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