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陈超; 赵逸群; 谢启明;
锗单晶; 单晶电阻率; 温度;
机译:Ca3TaGa3-xAlxSi2O14单晶的电阻率,介电常数和压电特性的温度依赖性与Al含量的关系
机译:镍基单晶高温合金中电阻率测量的γ体积分数与温度的关系
机译:(锗加上碲)的热化学1。氟-BOMB比色法测定298.15 K晶体锗锗单晶在温度298.15 K时形成Δ-H-F-DEGREES(M)的标准摩尔焓
机译:电阻率的温度依赖性和Ca_3Taga_(3-x)Al_xsi_2O_(14)单晶的电阻率和压电性
机译:在Bridgman环境中径向和轴向温度对硅(x)-锗(1-x)块状单晶生长的影响的研究。
机译:单晶SrFeO3-δ的电阻率和电荷密度波特性的热磁滞各向异性:X射线吸收和光发射研究
机译:单晶和锗纳米压痕过程中单晶锗相变的比较研究
机译:锗的介电常数作为频率,温度和电阻率的函数
机译:研究反应器的时钟电阻率与温度的关系VYSOKOREZISTORNYH对象
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:分别在单晶硅或锗衬底上获得单晶锗或硅层的方法,以及由此获得的多层产品
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