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赵普社; 王因生; 傅义珠;
南京电子器件研究所,南京,210016;
硅功率器件; 击穿电压; 扩散保护环; 耗尽区腐蚀;
机译:检查功率器件促进Si / SiC器件更高的击穿电压GaN正在商业化用于高频应用
机译:具有电荷不平衡的超结功率器件的击穿电压:对穿通和非穿通器件均有效的分析模型
机译:氮化镓基功率器件的发展趋势与硅器件相比,它实现了低损耗,高击穿电压和高温工作,每个公司的发展都在朝着大规模生产迈进。
机译:通过严格的物理模拟优化功率器件的自由载流子吸收测量
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:高击穿电压功率半导体器件的p型SiC晶体的载流子寿命研究
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:具有高击穿电压的垂直功率半导体器件,对应于边缘终端和器件区域
机译:高击穿电压的全间隙半导体器件和功率器件
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