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刘俐;
中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;
电源抑制比; 带隙基准; PTAT; 无运放; 温度系数;
机译:具有高电源纹波抑制比的电流模式带隙基准的分析和设计
机译:具有低温系数和高电源抑制性能的CMOS带隙基准的设计
机译:适用于纳瓦CMOS LSI的1.2V电源,100nW,1.09V带隙和0.7V电源,52.5nW,0.55V子带隙基准电路
机译:高电源抑制CMOS带隙基准电压源的设计与分析
机译:一款精确,无扰动,高PSRR,低压,CMOS带隙基准IC。
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:用于单片带隙基准和温度传感器的双极晶体管
机译:带叠层二极管,集成电流源和集成子带隙基准的带隙基准设计
机译:一种用于带隙基准电路的高汽车电路的操作方法,用于辅助带隙基准电路的启动的方法以及用于执行该方法的电子电路
机译:低电源电压带隙基准电路及其负温度系数电流生成单元以及提供带隙基准电流的方法
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