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李存志; 刘云鹏;
西安电子科大物理系;
电子共振隧穿; 多量子阱系统; 电子能量;
机译:GaN / AIN多量子阱结构中的共振隧穿传输
机译:共振隧穿多量子阱结构中子带间种群反转和朗道能级之间的诱导跃迁
机译:通过石墨烯多量子阱系统的共振隧穿
机译:隧穿效应对In x inf> Ga 1-x inf> As多量子阱二极管中随温度变化的光电流强度的影响
机译:共振隧穿和带内隧穿二极管中电子传输的NEGF模拟
机译:9和300时的相干共振电子隧穿K通过4.5 nm长的刚性平面有机分子线形成
机译:温度对多量子阱超晶格中共振隧穿和电场域形成的影响。
机译:影响共振隧穿二极管稳定工作的方法和装置
机译:共振隧穿装置及使用该共振隧穿装置的半导体集成电路
机译:一种用于检测至少一个参数变化的磁共振成像系统的方法,该方法对获得磁共振图像尤其是在准备阶段和获得磁共振信号的阶段之间产生影响
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