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机译:GaN / AIN多量子阱结构中的共振隧穿传输
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France;
Equipe mixte Nano-physique et semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France;
Equipe mixte Nano-physique et semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France;
机译:在MOCVD蓝宝石上的GaN模板上生长的GaN / AIN谐振隧穿二极管中的930 kA / cm〜2峰值隧穿电流密度
机译:930 ka / cm〜2峰隧道隧道隧道电流密度在Mocvd Gan-On-Sapphire模板上种植的甘克/ AIN共振隧道二极管
机译:面向半极化(1122)的GaN / AIN多量子阱结构的带间和子带间光学表征
机译:大电流,大面积GaN / Ain谐振隧穿二极管的脉冲特性
机译:共振隧穿和带内隧穿二极管中电子传输的NEGF模拟
机译:通过InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的石墨烯透明导电电极以良好的电流扩散特性增强载流子传输和载流子捕获
机译:插入在两个AIN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AllnN / AIN / GaN / AIN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响