基于硅衬底静电感应晶体管器件仿真与研究

摘要

针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco rcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究.仿真得到了反偏栅压约为0V、漏电压＜20V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件电流约为10-5 A,此时沟道状态为预夹断.当反偏栅压为-1.5V、漏电压逐渐增大到300 V时,器件表现为类三极管不饱和特性曲线,器件电流约为10-6A,此时沟道状态为完全夹断,研究结果静电感应晶体管工艺实践提供了参考.