首页> 中文期刊> 《今日电子》 >SiGe:C技术有望改进无线电产品的设计

SiGe:C技术有望改进无线电产品的设计

         

摘要

@@ Motorola公司(位于阿里桑那州的Phoenix)的半导体事业部,最近完成了对其0.35 μ m RF BiCMOS工艺,包括硅锗:碳(SiGe:C)技术,以及一些集成化的RF无源元件模块的鉴定.设计人员采用这种工艺技术,可以设计出更具创意,并且功能更加丰富的无线电话手机,手机的电池使用寿命也会更长,当今的蜂窝通信产品的成本也可以进一步降低.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号