BiCMOS工艺

摘要： 科学技术的不断发展,为温度传感器性能优化提供了重要的技术支持,扩大了其实际的应用范围.为了获得可靠的无源RFID标签温度传感器,应注重BICMOS工艺及温度脉冲转换方式的灵活运用,完善该温度传感器在实际应用中的服务功能.实际操作中应对计数器的时钟信号、使能信号及数字模块处理脉冲信号机制有着必要的了解,确定温度传感器在使用中振荡频率变化范围,实现其高效利用.基于此,本文就应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器展开论述.

摘要： SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的锗，形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGe HBT的关键工艺模块，包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGe BiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺，进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究，并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。%SiGe HBT, the essential device of SiGe BiCMOS technology, is introduced. The process modules of the formation of Collector, Base and Emitter of the SiGe HBT are introduced. Also 3 types of process flow, BBGate, BAGate, BDGate, applied in different SiGe BiCMOS technology nodes, are discussed. The paper reviews the process development and integration methodology, presents the device characteristics, and shows how the development and device selection were geared toward usage in mixed-signal IC development.

摘要： A high precision BiCMOS voltage and current reference for infrared focal plane array sensor are presented,which have advantages over traditional Brokaw bandgap reference in terms of Early effect reduction and biasing current matching for current mirror. The proposed circuit still allows the voltage reference to operate with an attractive low output resistance and utilizes cascode biasing current source to enhance PSR performance. And then, the high precision and simplified current reference is obtained by clamping reference voltage equal to the voltage across the resistance. Also,one diode-connected is introduced to further simply the whole circuit. The system has been simulated using Cadence Spectre tool in CSMC 0. 5 μm BiCMOS technology. The results indicate that the voltage reference achieves temperature coefficient of 13×10-6/°C from-40°C to 125°C with 5V supply voltage and high PSR of -86. 83 dB at 100 Hz. Moreover,the current reference generates 4 μA with a variation of 0. 5% over the same temperature range,equivalent to 31 ×10-6/°C. This reference source has high PSR,high precision and low temperature coefficient which solves the problem of low precision in constant transconductance reference source and are more suitable for infrared focal plane array.%提出一种适用于红外焦平面阵列传感器的高精度BiCMOS电压基准和电流基准设计方案。该方案采用新型电压基准输出级降低Brokaw带隙基准源中的厄尔利效应使电流镜电流完全匹配,同时减小电压基准的输出阻抗；接着利用共源共栅结构的偏置电流提高带隙基准的电源抑制PSR( Power Supply Rejection)特性；最后通过4个MOSFET管将基准电压和电阻电压钳制相等,进而得到一个高精度、低温度系数的电流基准；而以单个二极管连接的MOSFET作为电流基准启动电路的方式,可更进一步降低电路复杂性。系统采用CSMC 0.5μm BiCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具对电路进行仿真。结果表明,在电源电压5 V,-40°C到125°C温度范围内,基准电压和基准电流的温度系数分别为13×10-6/°C和31×10-6/°C,输出电流波动低于0.5%,整体电路的PSR为-86.83 dB,解决了恒定跨导基准源精度低的缺陷,符合红外焦平面阵列对基准源高精度、高PSR和低功耗的要求。

摘要： This paper describes the design of a bandgap reference circuit with high Power Supply Rejection Ratio(PSRR) and high precision. The circuit can output a reference voltage of 1.2 V and bears a temperature coefficient of 9.89.8×10-6°C-1between -40 °C and 80°C . The circuit features high PSPR, simple circuit structure and excellent matching performance by using a negative-feedback loop and reducing the coupling capacitance. The correctness of the circuit design is verified through the simulation in Hspice. The circuit can be widely used in the integrated circuits working under harsh power environment.%介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2V,在-40 °C～80°C范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10-6°C-1.采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好.采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性.该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中.

摘要： 基于BiCMOS工艺下研制一种单片式多功能集成电路汽车电子电压调节器.采用具有温度补偿特性的基准电压源代替稳压二极管来提供交流发电机输出取样电压.调节器设计成单片CMOS集成方式,减小了调节器的体积,使其可以和交流发电机制作在一起,提升了调节器的稳定性,提高了整车供电质量,有效延长了汽车电子设备的使用寿命.Spice仿真结果表明,该芯片完全达到所要求的技术指标.

摘要： 恩智浦将推出50种采用SiGe：C BiCMOS工艺技术的射频／微波产品;爱特梅尔宣布深圳大学Atmel AVR微控制器实验室成立；新思科技与中芯国际合作推出DesignWareUSB 2．0nanoPHY；英飞凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破开关和效率界限；

摘要： ^10F;半导体学报

摘要： 文章提出了一种用BICMOS工艺实现的用于AC-DC转换器中的锯齿波产生电路，通过对电容的充放电，利用脉宽调制技术产生驱动脉冲波形，基于TSMC1.0um工艺库，通过HSPICE仿真结果显示，振荡器输出频率稳定，且对电源电压变化不敏感，完全满足转换器系统要求。

摘要： 文章提出了一种用BICMOS工艺实现的用于AC-DC转换器中的锯齿波产生电路，通过对电容的充放电，利用脉宽调制技术产生驱动脉冲波形，基于TSMC1.0um工艺库，通过HSPICE仿真结果显示，振荡器输出频率稳定，且对电源电压变化不敏感，完全满足转换器系统要求。

摘要： 文章提出了一种用BICMOS工艺实现的用于AC-DC转换器中的锯齿波产生电路，通过对电容的充放电，利用脉宽调制技术产生驱动脉冲波形，基于TSMC1.0um工艺库，通过HSPICE仿真结果显示，振荡器输出频率稳定，且对电源电压变化不敏感，完全满足转换器系统要求。

摘要： 文章提出了一种用BICMOS工艺实现的用于AC-DC转换器中的锯齿波产生电路，通过对电容的充放电，利用脉宽调制技术产生驱动脉冲波形，基于TSMC1.0um工艺库，通过HSPICE仿真结果显示，振荡器输出频率稳定，且对电源电压变化不敏感，完全满足转换器系统要求。

摘要： 本文研究了一种新型的过温保护电路，利用品体管PN结的导通压降随温度升高而降低的特性，设计了集成于电源管理芯片内部的温度传感器，实现了过温保护，并通过反馈设置了迟滞功能，从而避免了在过热温度点的反复振荡，采用0.6μm BiCMOS工艺，运用HSPICE仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明该电路能很好的起到过热保护功能，并且有20°C的迟滞量。

摘要： 本文研究了一种新型的过温保护电路，利用品体管PN结的导通压降随温度升高而降低的特性，设计了集成于电源管理芯片内部的温度传感器，实现了过温保护，并通过反馈设置了迟滞功能，从而避免了在过热温度点的反复振荡，采用0.6μm BiCMOS工艺，运用HSPICE仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明该电路能很好的起到过热保护功能，并且有20°C的迟滞量。

摘要： 本文研究了一种新型的过温保护电路，利用品体管PN结的导通压降随温度升高而降低的特性，设计了集成于电源管理芯片内部的温度传感器，实现了过温保护，并通过反馈设置了迟滞功能，从而避免了在过热温度点的反复振荡，采用0.6μm BiCMOS工艺，运用HSPICE仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明该电路能很好的起到过热保护功能，并且有20°C的迟滞量。

摘要： 采用Jazz 0.35um SiGe BiCMOS工艺设计2路并行LDD,其工作频率为3.318Gb/s,采用电容交叉耦合技术拓展带宽,可同时驱动2路激光器.采用隔离技术,降低通路之间的干扰,后仿真结果表明该驱动器可提供调制电流20～90mA,阈值电流0～30mA.

摘要： 采用Jazz 0.35um SiGe BiCMOS工艺设计2路并行LDD,其工作频率为3.318Gb/s,采用电容交叉耦合技术拓展带宽,可同时驱动2路激光器.采用隔离技术,降低通路之间的干扰,后仿真结果表明该驱动器可提供调制电流20～90mA,阈值电流0～30mA.

摘要： 采用Jazz 0.35um SiGe BiCMOS工艺设计2路并行LDD,其工作频率为3.318Gb/s,采用电容交叉耦合技术拓展带宽,可同时驱动2路激光器.采用隔离技术,降低通路之间的干扰,后仿真结果表明该驱动器可提供调制电流20～90mA,阈值电流0～30mA.

摘要： 本发明提供了制造具有抬升外部基极的异质结双极晶体管的方法，其中，通过在抬升外部基极上形成硅化物，降低了基极电阻，所述硅化物以自对准的方式向发射极区域延伸。在形成抬升外部基极之后，将硅化物的形成结合到BiCMOS工艺流程中。本发明还提供了一种异质结双极晶体管，其具有抬升外部基极和位于抬升外部基极上的硅化物。在抬升外部基极上的硅化物以自对准的方式向发射极延伸。发射极通过衬垫与硅化物隔开。

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中HBT基区锗硅外延层质量优化工艺方法，包括步骤：形成第一栅氧化层；对第一栅氧化层进行刻蚀；形成第二栅氧化层，第二栅氧化层的厚度小于第一栅氧化层的厚度；生长第一多晶硅层，光刻刻蚀形成多晶硅栅；SC film生长，光刻刻蚀形成锗硅窗口；进行热氧化生长并湿法去除，以消除锗硅窗口区域内的硅衬底表面的缺陷；进行锗硅外延层生长。本发明通过在锗硅窗口形成后，进行热氧化并湿法去除热氧化层来消除锗硅窗口区域内的硅衬底表面的缺陷，从而能消除基区锗硅外延层形成区域的有源区表面的损伤，提高HBT基区锗硅外延层质量、从而提高HBT性能。

摘要： 本发明涉及在低电压BICMOS工艺中实现高电压IO驱动器的技术。提供一种能够在低电压BiCMOS工艺中高电压发送信号的IO电路。IO电路包括接收参考电压并生成电压导轨电源的电压导轨发生器电路。BJT(双极结型晶体管)缓冲电路耦合到电压导轨发生器电路和焊盘。BJT缓冲电路包括上拉电路和下拉电路。上拉电路接收电压导轨电源。下拉电路耦合到上拉电路。焊盘耦合到上拉电路和下拉电路。

摘要： 本发明涉及一种基于SiGe BiCMOS工艺的ECL触发器，它包括一个高电平锁存电路单元和一个低电平锁存电路单元。本发明电路在常规ECL触发器电路的基础上增加了四个电感L

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中HBT基区锗硅外延层质量优化工艺方法，包括步骤：形成第一栅氧化层；对第一栅氧化层进行刻蚀；形成第二栅氧化层，第二栅氧化层的厚度小于第一栅氧化层的厚度；生长第一多晶硅层，光刻刻蚀形成多晶硅栅；SC film生长，光刻刻蚀形成锗硅窗口；进行热氧化生长并湿法去除，以消除锗硅窗口区域内的硅衬底表面的缺陷；进行锗硅外延层生长。本发明通过在锗硅窗口形成后，进行热氧化并湿法去除热氧化层来消除锗硅窗口区域内的硅衬底表面的缺陷，从而能消除基区锗硅外延层形成区域的有源区表面的损伤，提高HBT基区锗硅外延层质量、从而提高HBT性能。

摘要： 本发明提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的共源共基放大器，包括输入匹配单元、第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元、输出阻抗匹配单元；与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。本发明在输入级采用MOS晶体管，相比HBT晶体管，在较高频率下获得了更低的噪声系数；输入级采用复合晶体管结构，提高了电路的功率增益；本发明采用的共源共基结构，减小了器件的密勒效应，有效地扩展了工作频带。

摘要： 本发明公开模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器，步骤包括：1)在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；2)淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺完成双多晶电容器下电极边缘保护膜层的制作；3)淀积d2埃米的多晶电容器介质复合膜层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容介质层结构制作；高线性双多晶电容器包括衬底、N型埋层、P型埋层、外延层、N型阱、自对准P型阱等。本发明通过在模拟集成电路可集成高线性双多晶电容器高应力边缘效应优化技术方案，显著改善了双多晶电容器的边缘效应。

摘要： 本发明涉及一种基于BICMOS工艺具有冷备份和短路保护功能的高速驱动电路100，该电路包括驱动级101、共模反馈电路102、短路保护电路103、冷备份电源偏置104等模块。此驱动电路100采用电流模架构，上电完成后，驱动器101开始工作，共模反馈电路102保证输出工作点满足驱动级协议要求，短路保护电路103监控输出端电压值，如果输出电压异常，短路保护电路将关闭驱动电路101，以免电路烧毁。电路同时支持冷备份使用，冷备份电源偏置104将输出端口到电源的漏电流控制在微安级以内，完全切断输出到电源的漏电通路。采用此架构适用于多种协议驱动器，满足多种使用条件，具备较强的保护能力和高速的驱动能力。

摘要： 本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。

摘要： 本实用新型提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的四级差分放大器，基于区别于现行通用的GaAs CMOS工艺的SiGe BiCMOS工艺，SiGe BiCMOS产品具有更低的功耗、更小的体积和更高的集成度，而且可以和其他电路集成在一起，同时SiGe BiCMOS工艺的发展也使得这种电路实现更加可行，电路成本更低；本实用新型包括输入匹配网络、第一级、第二级、第三级、第四级差分结构电路。本实用新型与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；本实用新型与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。