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nMOSFET低能X射线辐照特性研究

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摘要

讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阚值电压的影响,结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与60Co辐照影响的规律基本一致.

著录项

来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |2005年第6期|25-28|共4页
作者
恩云飞; 罗宏伟;
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作者单位

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;X射线分析应用;
关键词
低能X射线; 总剂量; 剂量率; 转移特性; 阈值电压;

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