一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法

摘要

本发明公开了一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法，首先通过分析MCM/HIC电路，确定MCM/HIC电路中的辐照敏感元器件，然后在MCM/HIC电路工作状态下，使用辐照夹具针对一个或多个敏感元器件进行辐照，确定这些敏感元器件在电路工作中的抗辐射能力，最后对整个MCM/HIC电路进行总剂量辐照，并采用在线监测的方式测试MCM/HIC电路的电参数。采用本发明技术，可以实现对多芯片混合集成电路进行抗辐照总剂量水平试验评价，既可以评价整个电路的抗辐照能力，也可以研究电路中辐照敏感元器件的抗辐照能力，有利于针对电路局部进行抗辐照加固设计。