中子辐照超深亚微米NMOSFET的数值模拟研究初探

摘要

初步研究了沟道长为0.18mm的超深亚微米LDD NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理；数值模拟了0.18mm LDD NMOSFET的阈值电压和亚阈值电流随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系；通过数值模拟比较了中子辐照诱发的不同缺陷能级对0.18mm超深亚微米LDD NMOSFET的影响。部分数值模拟结果与反应堆中子辐照实验结果进行了比对。