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小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟

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摘要

主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况.模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加.

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来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |2008年第3期|16-19|共4页
作者
汪俊; 师谦; 邓文基;
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作者单位

华南理工大学微电子研究所,广东广州,510640;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

华南理工大学微电子研究所,广东广州,510640;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
单粒子翻转; 电荷收集; 准三维模拟;

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