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庶民;
无;
半导体; GaAs; P型; ZnTe层; ZnTe; 外延生长;
机译:GaAs(1 0 0)和ZnTe(1 0 0)衬底上ZnTe外延层和ZnCdTe / ZnTe结构的MBE生长和表征
机译:GaAs(100)和ZnTe(100)衬底上ZnTe外延层和ZnCdTe / ZnTe结构的MBE生长和表征
机译:在(001)GaAs衬底上的ZnTe缓冲层上生长的Cd_xZn_(1-x)Te外延层中CuPt型有序结构的形成
机译:MBE(001)GaAs上生长的ZnTe CdZnTe ZnSe外延层的深度不均匀性
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:错误:''通过金属机气相外延沉积在(110)GaAs上沉积在(110)GaAs上的ZnTe层的不均匀应变弛豫和缺陷分布J。苹果。物理。 78,229(1995)
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:PP型GAAS单晶层的气相生长方法
机译:在InGaAs晶体上制造p型导电层的方法
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