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晓予;
无;
氮化镓; 同质外延生长; 晶体;
机译:通过压力控制溶液生长制备的块状GaN单晶上反应性分子束外延生长GaN层的同质外延生长
机译:同质外延生长的n型GaN肖特基势垒二极管的正向电流-电压特性与温度的关系
机译:在M-GaN(非极性)和C-GaN(极性)衬底上进行GaN /(In,Ga,Al)N MQW的同质外延生长
机译:通过分子束外延生长基于III族氮化物的结和器件的异质和同质外延生长。
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:通过激光分子束外延生长在GaN模板上的同质外延GaN纳米壁的结构,光学和电子特性
机译:分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:外延生长用基板,GaN半导体膜的制造方法,GaN半导体膜,GaN半导体发光元件的制造方法以及GaN半导体发光元件
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