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Alain Stas;
威世科技(Vishay);
机译:采用体浮技术在65 nm CMOS工艺中设计ESD保护器件
机译:采用统计方法的ESD保护器件设计
机译:勘误表:采用内置的新型高容差ESD保护电路设计具有限流特性的高可靠性LDO。 10(2013)No. 20 pp。20130516]
机译:使用低功率PTC电阻的矩阵故障限流器设计
机译:绝缘体上硅技术中的EOS / ESD保护器件和电路的建模,仿真和设计。
机译:一种安全有效的药物的总体成功率:采用六个阶段1设计的结果每个阶段均采用标准阶段2和3设计
机译:超薄SOI MOSFET中的回跳现象的紧凑等效电路模型和ESD保护器件设计实用指南
机译:热保护器件领域的铍热屏蔽技术
机译:电路断路器采用PTC元件并具有限流功能
机译:PTC PTC PTC热敏电阻和具有至少一个PTC热敏电阻的限流器
机译:采用正温度系数(PTC)材料的电池单元设计可防止内部短路的发生和蔓延
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