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抑制SSN的新型内插L-EBG结构

     

摘要

本文提出的是一种基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)结构的创新型结构,对于同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更优秀的特性。我们设计的这款新型EBG结构,是在周期性L-bridge EBG结构的基础上,在一些单元内插小型的L-bridge EBG。通过仿真验证,此结构具有传统型L-bridge EBG结构所不具有的超带宽抑制能力和较大的抑制深度。然后我们运用电路模型和平行板谐振腔原理分析了该结构上下变频。另外,通过3-D仿真,得到结构的IR-Drop和直流阻抗。最后,通过眼图验证该结构的信号传输特性。

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