使SRAM在0.3V电源电压下工作动态控制电压和频率

摘要

随着消耗电流的增大，用户对根据负载动态控制逻辑芯片电源电压及频率的技术（DVS：dynamic voltage scaling）要求不断增大。但是在应用到SoC等方面还举步维艰。其中一个原因是，由于Vth偏差的影响，混合SRAM的最低工作电压较高。由于最低工作电压决定它所控制的电源电压下限，因此很难提高采用DVS的效果。为了解决该问题，日本金泽大学和神户大学联合开发出了用低至0．3V左右的低电压驱动SRAM的技术。