硅基ZnO光电导紫外传感器的制备与性能表征

摘要

通过控制氩氧气体体积流量比,在单晶硅片上通过磁控溅射的方法制得c轴择优取向的ZnO薄膜,其(002)衍射峰的半高宽仅为0.3°,ZnO薄膜的常温光致发光光谱仅有一个发光峰位于3.17 eV,是ZnO受主缺陷的三阶声子伴线发光峰(FXA-3LO),该峰的出现也说明了ZnO薄膜具有较高的纯度和晶体质量,ZnO薄膜电阻率为160Ω·cm.在此基础上利用光刻剥离技术制备了传感器18对叉指Au电极结构,电极的线宽/线间距为25μm/25μm.样品的实际参数指标与设计指标一致,光电性能指标基本符合要求,对于280～360 nm的中长紫外线具有良好的响应特性,为后续ZnO紫外传感器的性能优化奠定了设计与技术基础.