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陈洪存; 王矜奉; 臧国忠; 苏文斌; 王春明; 亓鹏;
山东大学物理与微电子学院,山东,济南,250100;
半导体技术; (Nb,Mg,Al)掺杂的ZnO压敏电阻; 势垒; 漏电流; 残压比; 非线性系数;
机译:掺杂剂(Al,Nb,Bi,La)对ZnO-V_2O_5-MnO_2-Co_3O_4-Dy_2O_3陶瓷压敏电阻性能的影响
机译:喷涂等离子体沉积ZnO和Al掺杂的ZnO薄膜:生长时间和Al掺杂对微结构,光学和电学性质的影响
机译:柔性衬底上沉积的Al掺杂ZnO和Al,B掺杂的ZnO薄膜的结构和电学性质
机译:Bi 2 inf> O 3 inf>掺杂对低残留电压掺杂Al的ZnO压敏电阻电性能的影响
机译:Al和Ga掺杂的ZnO的结构和性能。
机译:BST和纳米ZnO掺杂硅橡胶复合材料的非线性电学性质和场依赖性
机译:Ni2O3掺杂的ZnO.Bi2O3.Co2O 3.MnO2压敏电阻系统的电学特性Ni2O3掺杂的ZnO的电学特性。 Bi2O3.Co2O3.MnO2压敏电阻系统
机译:掺杂ZnO粉末在高场压敏电阻中的烧结行为
机译:ZnO ZnO基压敏电阻的组成以及制造该压敏电阻的方法和使用该压敏电阻的压敏电阻
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